本研究通过不同能量长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光体外照射红色毛癣菌菌落，观察长脉冲1064 nm激光对红色毛癣菌生长曲线的影响。
生长曲线测定
一套培养皿于激光照射前即刻(作为第1天)、照射后放回培养箱继续培养，于第2～9天，用相机拍摄菌落大小(培养盘放置于坐标纸上，方便计数)，之后用Photoshop 7.0软件打开菌落图像，分别计数菌落所占的像点数和坐标纸小方格的像点数，二者之比乘以小方格的面积即为菌落生长的面积，未照光组作为对照组，分别计算每株菌的未照光组和不同能量激光照射组的菌落生长面积。此试验重复3次。
结果：
长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光照射对T.rubrum Y菌落生长的影响记录红色毛癣菌Y菌落于激光照射前即刻(第1天)及各能量激光照射后第2～9天的菌落面积，将菌落面积统计分析如表1所示，并绘制成生长曲线(图1)。
不同能量激光照射对T.rubrum Y菌落生长的影响
激光照射能量200 J/cm2时生长曲线几乎与对照组生长曲线重合；激光照射能量400 J/cm2时，菌落生长曲线较对照组生长曲线下移，且在第9天时，菌落生长面积又恢复至与对照组相似；激光照射能量600 J/cm2时，照射后即刻，菌落面积减小，第2～9天，菌落生长面积不变，生长曲线呈直线趋势，菌落停止生长。
本研究中，长脉冲Nd:YAG 1064 nm激光体外照射临床分离的T.rubrum Y菌落后，菌落在200 J/cm2处理组，菌落生长曲线与未行激光照射的对照组生长曲线几乎重合，表明200 J/cm2激光能量不足以抑制T.rubrum Y菌落的生长。400 J/cm2处理组，T.rubrum Y菌落生长曲线较对照组生长曲线下移，说明可抑制T.rubrum Y菌落的生长。值得注意的是，激光照射后第2～8天菌落生长曲线下移，但至第9天时，菌落生长曲线上移至与对照组基本相同，这也许说明激光对T.rubrum Y菌落的抑制效应可持续约1周，这种抑制效应停止后，菌落可恢复正常生长。也为临床工作中，病人激光治疗间隔时间为1周提供了依据。